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IXXK160N65C4

IXXK160N65C4

Nur als Referenz

Teilenummer IXXK160N65C4
PNEDA Teilenummer IXXK160N65C4
Beschreibung IGBT 650V 290A 940W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.898
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXK160N65C4 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXK160N65C4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXK160N65C4, IXXK160N65C4 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 210,89 KB)
PDFIXXX160N65C4 Datenblatt Cover
IXXX160N65C4 Datenblatt Seite 2 IXXX160N65C4 Datenblatt Seite 3 IXXX160N65C4 Datenblatt Seite 4 IXXX160N65C4 Datenblatt Seite 5 IXXX160N65C4 Datenblatt Seite 6

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IXXK160N65C4 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX4™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)290A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)800A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 160A
Leistung - max940W
Schaltenergie3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge422nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.52ns/197ns
Testbedingung400V, 80A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXXK)

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

480µJ (on), 490µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/114ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

35A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

Leistung - max

-

Schaltenergie

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

800V, 35A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AB

NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

360µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/130ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.16mJ (on), 470µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/93ns

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

73.5W

Schaltenergie

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Gate Charge

12.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

5.4ns/25.4ns

Testbedingung

400V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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