RGPZ10BM40FHTL
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| Teilenummer | RGPZ10BM40FHTL |
| PNEDA Teilenummer | RGPZ10BM40FHTL |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.874 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGPZ10BM40FHTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGPZ10BM40FHTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGPZ10BM40FHTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 460V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.0V @ 5V, 10A |
| Leistung - max | 107W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 500ns/4µs |
| Testbedingung | 300V, 8A, 100Ohm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A Leistung - max 89W Schaltenergie 300µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/160ns Testbedingung 600V, 5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 19A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 40W Schaltenergie 290µJ (on), 185µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/175ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A Leistung - max 483W Schaltenergie 2.4mJ (on), 2.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 85ns/222ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A Leistung - max 44.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/130ns Testbedingung 200V, 20A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
