RGPZ10BM40FHTL
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| Teilenummer | RGPZ10BM40FHTL |
| PNEDA Teilenummer | RGPZ10BM40FHTL |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.874 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGPZ10BM40FHTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGPZ10BM40FHTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGPZ10BM40FHTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 460V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.0V @ 5V, 10A |
| Leistung - max | 107W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 500ns/4µs |
| Testbedingung | 300V, 8A, 100Ohm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 79A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.74V @ 15V, 40A Leistung - max 230W Schaltenergie 860µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/130ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 73ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3 |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 223W Schaltenergie 2.8mJ (on), 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/150ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 425ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 15A Leistung - max 259W Schaltenergie 540µJ (on), 1.38mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/140ns Testbedingung 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 270ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 540µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/125ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 400W Schaltenergie 4.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/350ns Testbedingung 720V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
