RGT30NL65DGTL
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| Teilenummer | RGT30NL65DGTL |
| PNEDA Teilenummer | RGT30NL65DGTL |
| Beschreibung | FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.654 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 5 - Apr 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGT30NL65DGTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGT30NL65DGTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT30NL65DGTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 133W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 32nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/64ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | LPDS |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 161W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/75ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPDS (TO-263S) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 96ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 6A Leistung - max 88W Schaltenergie 200µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/130ns Testbedingung 400V, 6A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 123ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max 60W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 400ns/400ns Testbedingung 300V, 10A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-220SM |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A Leistung - max 320W Schaltenergie 3.2mJ (on), 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 166nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/185ns Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
