GT10J312(Q)
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| Teilenummer | GT10J312(Q) |
| PNEDA Teilenummer | GT10J312-Q |
| Beschreibung | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.830 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 25 - Apr 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GT10J312(Q) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GT10J312(Q) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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GT10J312(Q) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 20A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 400ns/400ns |
| Testbedingung | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SM |
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