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IXXK300N60C3

IXXK300N60C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXXK300N60C3
PNEDA Teilenummer IXXK300N60C3
Beschreibung IGBT 600V 510A 2300W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.816
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXK300N60C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXK300N60C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXK300N60C3, IXXK300N60C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 225,79 KB)
PDFIXXK300N60C3 Datenblatt Cover
IXXK300N60C3 Datenblatt Seite 2 IXXK300N60C3 Datenblatt Seite 3 IXXK300N60C3 Datenblatt Seite 4 IXXK300N60C3 Datenblatt Seite 5 IXXK300N60C3 Datenblatt Seite 6

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IXXK300N60C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)510A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)1075A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 100A
Leistung - max2300W
Schaltenergie3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge438nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/160ns
Testbedingung400V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXXK)

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

720A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

450nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/340ns

Testbedingung

960V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.95µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

380A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

900A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

1630W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/160ns

Testbedingung

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

FGA50S110P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1100V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

195nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

STGFL6NC60DI

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

22W

Schaltenergie

32µJ (on), 24µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

204nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

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