STGB7NB60KDT4
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| Teilenummer | STGB7NB60KDT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB7NB60KDT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 80W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.042 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB7NB60KDT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB7NB60KDT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB7NB60KDT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 56A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 80W |
| Schaltenergie | 140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 32.7nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/50ns |
| Testbedingung | 480V, 7A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 428W Schaltenergie 1.74mJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/490ns Testbedingung 600V, 25A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4V, 15A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 58A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 24A Leistung - max 500W Schaltenergie 3.6mJ (on), 1.76mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/155ns Testbedingung 850V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A Leistung - max 190W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/116ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A Leistung - max 51W Schaltenergie 230µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/54ns Testbedingung 300V, 10A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
