STGB7NB60KDT4 Datenblatt
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max 80W Schaltenergie 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/50ns Testbedingung 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max 80W Schaltenergie 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/50ns Testbedingung 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
