GT10J312(Q) Datenblatt
GT10J312(Q) Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
GT10J312(Q)
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max 60W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 400ns/400ns Testbedingung 300V, 10A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-220SM |
