Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJH1CV7DPK-00#T0

RJH1CV7DPK-00#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJH1CV7DPK-00#T0
PNEDA Teilenummer RJH1CV7DPK-00-T0
Beschreibung IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.886
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 13 - Feb 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJH1CV7DPK-00#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH1CV7DPK-00#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH1CV7DPK-00#T0, RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 120,42 KB)
PDFRJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Cover
RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 2 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 3 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 4 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 5 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 6 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 7 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 8 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 9 RJH1CV7DPK-00#T0 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJH1CV7DPK-00#T0 Datasheet
  • where to find RJH1CV7DPK-00#T0
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJH1CV7DPK-00#T0
  • RJH1CV7DPK-00#T0 PDF Datasheet
  • RJH1CV7DPK-00#T0 Stock

  • RJH1CV7DPK-00#T0 Pinout
  • Datasheet RJH1CV7DPK-00#T0
  • RJH1CV7DPK-00#T0 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJH1CV7DPK-00#T0 Price
  • RJH1CV7DPK-00#T0 Distributor

RJH1CV7DPK-00#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 35A
Leistung - max320W
Schaltenergie3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge166nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.53ns/185ns
Testbedingung600V, 35A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/190ns

Testbedingung

480V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AA

STGBL6NC60DIT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

32µJ (on), 24µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IXDR30N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 30A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IRGPF40F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 17A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Kürzlich verkauft

RCLAMP0524PATCT

RCLAMP0524PATCT

Semtech

TVS DIODE 5V 15V SLP2510P8

XC95144-15TQ100I

XC95144-15TQ100I

Xilinx

IC CPLD 144MC 15NS 100TQFP

DS2401P+T&R

DS2401P+T&R

Maxim Integrated

IC SILICON SERIAL NUMBER 6TSOC

AQY210EHAX

AQY210EHAX

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 130MA 0-350V

SMBJ15CA

SMBJ15CA

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

ADUM1400BRW

ADUM1400BRW

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

ISL4221EIRZ

ISL4221EIRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16QFN

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

TAJC226K025RNJ

TAJC226K025RNJ

CAP TANT 22UF 10% 25V 2312

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

S202T01

S202T01

Sharp Microelectronics

SSR RELAY SPST-NO 2A 80-240V

BLM31PG391SN1L

BLM31PG391SN1L

Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN