RGT30NS65DGTL
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Teilenummer | RGT30NS65DGTL |
PNEDA Teilenummer | RGT30NS65DGTL |
Beschreibung | IGBT 650V 30A 133W TO-263S |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.122 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGT30NS65DGTL Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | RGT30NS65DGTL |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT30NS65DGTL Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
Leistung - max | 133W |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 32nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/64ns |
Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | LPDS (TO-263S) |
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