RJP6085DPN-00#T2
Nur als Referenz
Teilenummer | RJP6085DPN-00#T2 |
PNEDA Teilenummer | RJP6085DPN-00-T2 |
Beschreibung | IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB |
Hersteller | Renesas Electronics America |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.230 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
RJP6085DPN-00#T2 Ressourcen
Marke | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RJP6085DPN-00#T2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
RJP6085DPN-00#T2, RJP6085DPN-00#T2 Datenblatt
(Total Pages: 8, Größe: 115,86 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- RJP6085DPN-00#T2 Datasheet
- where to find RJP6085DPN-00#T2
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America RJP6085DPN-00#T2
- RJP6085DPN-00#T2 PDF Datasheet
- RJP6085DPN-00#T2 Stock
- RJP6085DPN-00#T2 Pinout
- Datasheet RJP6085DPN-00#T2
- RJP6085DPN-00#T2 Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- RJP6085DPN-00#T2 Price
- RJP6085DPN-00#T2 Distributor
RJP6085DPN-00#T2 Technische Daten
Hersteller | Renesas Electronics America |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 40A |
Leistung - max | 178.5W |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | - |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 192W Schaltenergie 75µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/95ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A Leistung - max 190W Schaltenergie 2.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 72nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/150ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 16A Leistung - max 180W Schaltenergie 920µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/150ns Testbedingung 600V, 16A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 18A Leistung - max 290W Schaltenergie 642µJ (on), 382µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/104ns Testbedingung 600V, 18A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |