IGD01N120H2BUMA1
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| Teilenummer | IGD01N120H2BUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGD01N120H2BUMA1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.050 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGD01N120H2BUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGD01N120H2BUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGD01N120H2BUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3.2A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 3.5A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Leistung - max | 28W |
| Schaltenergie | 140µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 8.6nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/370ns |
| Testbedingung | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A Leistung - max 45W Schaltenergie 270µJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/410ns Testbedingung 300V, 7A, 470Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
