APT11GP60BDQBG
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| Teilenummer | APT11GP60BDQBG |
| PNEDA Teilenummer | APT11GP60BDQBG |
| Beschreibung | IGBT 600V 41A 187W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.564 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT11GP60BDQBG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT11GP60BDQBG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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APT11GP60BDQBG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Leistung - max | 187W |
| Schaltenergie | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 40nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 7ns/29ns |
| Testbedingung | 400V, 11A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 166W Schaltenergie 140µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/108ns Testbedingung 400V, 20A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 166ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
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