APT11GP60BDQBG
Nur als Referenz
Teilenummer | APT11GP60BDQBG |
PNEDA Teilenummer | APT11GP60BDQBG |
Beschreibung | IGBT 600V 41A 187W TO247 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.564 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
APT11GP60BDQBG Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APT11GP60BDQBG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APT11GP60BDQBG Datasheet
- where to find APT11GP60BDQBG
- Microsemi
- Microsemi APT11GP60BDQBG
- APT11GP60BDQBG PDF Datasheet
- APT11GP60BDQBG Stock
- APT11GP60BDQBG Pinout
- Datasheet APT11GP60BDQBG
- APT11GP60BDQBG Supplier
- Microsemi Distributor
- APT11GP60BDQBG Price
- APT11GP60BDQBG Distributor
APT11GP60BDQBG Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 7® |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
Leistung - max | 187W |
Schaltenergie | 46µJ (on), 90µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 40nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 7ns/29ns |
Testbedingung | 400V, 11A, 5Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Leistung - max 94W Schaltenergie 1.17mJ (on), 940µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 104nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/142ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 102ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max 223W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 23ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 166W Schaltenergie 140µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/108ns Testbedingung 400V, 20A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 166ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max 100W Schaltenergie 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/540ns Testbedingung 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
IXYS Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.5V @ 15V, 12A Leistung - max 310W Schaltenergie 3.56mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 56nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/167ns Testbedingung 1250V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 16ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |