Transistoren

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GPA040A120L-ND Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 80A 455W TO264 Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A Leistung - max: 455W Schaltenergie: 5.8mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 510nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/200ns Testbedingung: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 220ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager6.696
GPA040A120MN-FD Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 80A 480W TO3PN Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max: 480W Schaltenergie: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 480nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 55ns/200ns Testbedingung: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 200ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.028
GPA042A100L-ND Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1000V 60A 463W TO264 Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max: 463W Schaltenergie: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 405nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 230ns/1480ns Testbedingung: 600V, 60A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 465ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager7.812
GPA060A060MN-FD Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 347W TO3PN Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 347W Schaltenergie: 2.66mJ (on), 1.53mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/150ns Testbedingung: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 140ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager7.254
GPI040A060MN-FD Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 231W TO3PN Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 231W Schaltenergie: 1.46mJ (on), 540µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 173nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 35ns/85ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager2.466
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 1W 8-SOIC Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A Leistung - max: 1W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 3.1µs/2µs Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP (5.5x6.0)	Auf Lager6.030
GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 10A 60W TO220SM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max: 60W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 400ns/400ns Testbedingung: 300V, 10A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 200ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-220SM	Auf Lager7.830
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 50A 240W TO3P LH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Leistung - max: 240W Schaltenergie: 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 90ns/300ns Testbedingung: 300V, 50A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3PL Lieferantengerätepaket: TO-3P(LH)	Auf Lager2.448
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A Leistung - max: 170W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 330ns/700ns Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 2.5µs Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3PL Lieferantengerätepaket: TO-3P(LH)	Auf Lager7.254
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 600MW 8TSSOP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A Leistung - max: 600mW Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 1.7µs/2µs Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager4.896
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 35A 298W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max: 298W Schaltenergie: 320µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/165ns Testbedingung: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager8.172
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 35A 298W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max: 298W Schaltenergie: 320µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/165ns Testbedingung: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager20.412
HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 54A 167W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 55µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/96ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 30ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager2.916
HGT1S12N60A4S9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 54A 167W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 55µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/96ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager5.904
HGT1S14N36G3VLS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 390V 18A 100W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/7µs Testbedingung: 300V, 7A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager7.362
HGT1S14N36G3VLT ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 390V 18A 100W TO262AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/7µs Testbedingung: 300V, 7A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262)	Auf Lager7.092
HGT1S20N35G3VLS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 380V 20A 150W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 375V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A Leistung - max: 150W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 28.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/15µs Testbedingung: 300V, 10A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager4.212
HGT1S20N36G3VL ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 395V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 37.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A Leistung - max: 150W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 28.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/15µs Testbedingung: 300V, 10A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262)	Auf Lager6.120
HGT1S20N60A4S9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 70A 290W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 105µJ (on), 150µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/73ns Testbedingung: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager4.104
HGT1S20N60C3S9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 45A 164W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 164W Schaltenergie: 295µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 91nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/151ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager21.156
HGT1S2N120CN ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 13A 104W I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A Leistung - max: 104W Schaltenergie: 96µJ (on), 355µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/205ns Testbedingung: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager6.606
HGT1S3N60A4DS9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 17A 70W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Leistung - max: 70W Schaltenergie: 37µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 6ns/73ns Testbedingung: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 29ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager6.930
HGT1S7N60A4DS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 34A 125W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 55µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/100ns Testbedingung: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 34ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager3.492
HGT1S7N60C3DS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 60W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 165µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 37ns Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager3.204
HGT1S7N60C3DS9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 60W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 165µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 37ns Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager8.316
HGTD1N120BNS9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.3A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 70µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/67ns Testbedingung: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252AA	Auf Lager47.598
HGTD3N60C3S9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 33W TO252AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Leistung - max: 33W Schaltenergie: 85µJ (on), 245µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 10.8nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 480V, 3A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252AA	Auf Lager5.292
HGTD7N60C3S9A ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 60W TO252AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 165µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252AA	Auf Lager6.408
HGTG10N120BND ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 35A 298W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max: 298W Schaltenergie: 850µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/165ns Testbedingung: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 70ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager15.480
HGTG11N120CN ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 43A 298W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 43A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Leistung - max: 298W Schaltenergie: 400µJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/180ns Testbedingung: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager7.110

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