Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

Nur als Referenz

Teilenummer GT10G131(TE12L,Q)
PNEDA Teilenummer GT10G131-TE12L-Q
Beschreibung IGBT 400V 1W 8-SOIC
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Sep 24 - Sep 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GT10G131(TE12L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGT10G131(TE12L,Q)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
GT10G131(TE12L, GT10G131(TE12L Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 226,99 KB)
PDFGT10G131(TE12L Datenblatt Cover
GT10G131(TE12L Datenblatt Seite 2 GT10G131(TE12L Datenblatt Seite 3 GT10G131(TE12L Datenblatt Seite 4 GT10G131(TE12L Datenblatt Seite 5 GT10G131(TE12L Datenblatt Seite 6 GT10G131(TE12L Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • GT10G131(TE12L,Q) Datasheet
  • where to find GT10G131(TE12L,Q)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131(TE12L,Q)
  • GT10G131(TE12L,Q) PDF Datasheet
  • GT10G131(TE12L,Q) Stock

  • GT10G131(TE12L,Q) Pinout
  • Datasheet GT10G131(TE12L,Q)
  • GT10G131(TE12L,Q) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • GT10G131(TE12L,Q) Price
  • GT10G131(TE12L,Q) Distributor

GT10G131(TE12L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 4V, 200A
Leistung - max1W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.3.1µs/2µs
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP (5.5x6.0)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGIB4607DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

62µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

IXGT32N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/85ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

326W

Schaltenergie

2.65mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/277ns

Testbedingung

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

290ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

66A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

133A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/130ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

NGTB40N120FL2WAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

1.7mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/145ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

Kürzlich verkauft

HSMG-C170

HSMG-C170

Broadcom

LED GREEN DIFFUSED CHIP SMD

1N4148W-E3-08

1N4148W-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

Bourns

RES ARRAY 8 RES 330 OHM 16SOIC

NC7WZ00K8X

NC7WZ00K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 2CH 2-INP US8

ADP151ACPZ-3.3-R7

ADP151ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 200MA 6LFCSP

SMF6.0A

SMF6.0A

Littelfuse

TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F

CEP125NP-1R0MC-HD

CEP125NP-1R0MC-HD

Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

MAX6675ISA+T

MAX6675ISA+T

Maxim Integrated

IC THERMOCOUP TO DGTL 8-SOIC

MAX3387EEUG

MAX3387EEUG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

LTST-C295KGKRKT

LTST-C295KGKRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

NHD-0420CW-AW3

NHD-0420CW-AW3

Newhaven Display Intl

4X20 WHITE SLIM CHARACTER OLED