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HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS

Nur als Referenz

Teilenummer HGT1S10N120BNS
PNEDA Teilenummer HGT1S10N120BNS
Beschreibung IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.172
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HGT1S10N120BNS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGT1S10N120BNS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGT1S10N120BNS, HGT1S10N120BNS Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 296,05 KB)
PDFHGT1S10N120BNS Datenblatt Cover
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HGT1S10N120BNS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Leistung - max298W
Schaltenergie320µJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/165ns
Testbedingung960V, 10A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IHW30N135R5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/310ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IHW15N120R3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

254W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/300ns

Testbedingung

600V, 15A, 14.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/110ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

NGTB40N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

535W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/286ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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