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IHW15N120R3FKSA1

IHW15N120R3FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IHW15N120R3FKSA1
PNEDA Teilenummer IHW15N120R3FKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.880
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IHW15N120R3FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW15N120R3FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IHW15N120R3FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 15A
Leistung - max254W
Schaltenergie700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/300ns
Testbedingung600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 20A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/207ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

116A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

3.13mJ (on), 1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/145ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

RJH60F0DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 25A

Leistung - max

201.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/70ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IKP06N60TXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

200µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/130ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

123ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

STGWS38IH130D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

127nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/284ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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