HGTG11N120CN
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| Teilenummer | HGTG11N120CN |
| PNEDA Teilenummer | HGTG11N120CN |
| Beschreibung | IGBT 1200V 43A 298W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.110 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG11N120CN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG11N120CN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTG11N120CN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 43A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 11A |
| Leistung - max | 298W |
| Schaltenergie | 400µJ (on), 1.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/180ns |
| Testbedingung | 960V, 11A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 293µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/146ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 74A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 278W Schaltenergie 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 92nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/116ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 10A Leistung - max 156W Schaltenergie 140µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/230ns Testbedingung 400V, 10A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A Leistung - max 340W Schaltenergie 940µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/152ns Testbedingung 600V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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