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IXGH40N60B

IXGH40N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH40N60B
PNEDA Teilenummer IXGH40N60B
Beschreibung IGBT 600V 75A 250W TO247AD
Hersteller IXYS
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IXGH40N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH40N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH40N60B, IXGH40N60B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 291,07 KB)
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IXGH40N60B Datenblatt Seite 2

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IXGH40N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Leistung - max250W
Schaltenergie2.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge116nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/180ns
Testbedingung480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11.4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

160µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/93ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 160A

Leistung - max

882W

Schaltenergie

12.4mJ (on), 5.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/98ns

Testbedingung

400V, 160A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

132ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGPF10N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

Leistung - max

42W

Schaltenergie

150µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/52.2ns

Testbedingung

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37.7ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRGB4B60KD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

73µJ (on), 47µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

93ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

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30W

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Standard

Gate Charge

81nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24.5ns/118ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

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103ns

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