HGTD3N60C3S9A
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Teilenummer | HGTD3N60C3S9A |
PNEDA Teilenummer | HGTD3N60C3S9A |
Beschreibung | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.292 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTD3N60C3S9A Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | HGTD3N60C3S9A |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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HGTD3N60C3S9A Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
Leistung - max | 33W |
Schaltenergie | 85µJ (on), 245µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 10.8nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
Testbedingung | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
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