HGTD3N60C3S9A Datenblatt
HGTD3N60C3S9A Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 263,04 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGTD3N60C3S9A
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A Leistung - max 33W Schaltenergie 85µJ (on), 245µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 10.8nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 480V, 3A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252AA |
