IXGM17N100A
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| Teilenummer | IXGM17N100A |
| PNEDA Teilenummer | IXGM17N100A |
| Beschreibung | POWER MOSFET TO-3 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGM17N100A Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGM17N100A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGM17N100A Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1000V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 34A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 68A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 17A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 100ns/500ns |
| Testbedingung | 800V, 17A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-204AE |
| Lieferantengerätepaket | TO-204AE |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 43A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 147W Schaltenergie 2.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/250ns Testbedingung 600V, 25A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
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