IRGR2B60KDTRPBF
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| Teilenummer | IRGR2B60KDTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGR2B60KDTRPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 6.3A 35W DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.790 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGR2B60KDTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGR2B60KDTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGR2B60KDTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6.3A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 8A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 2A |
| Leistung - max | 35W |
| Schaltenergie | 74µJ (on), 39µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 11ns/150ns |
| Testbedingung | 400V, 2A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 68ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 520W Schaltenergie 280µJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/200ns Testbedingung 480V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 15A Leistung - max 259W Schaltenergie 380µJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/111ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 231ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 45A Leistung - max 300W Schaltenergie 14mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 55ns/370ns Testbedingung 960V, 45A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 360W Schaltenergie 3.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 248nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 62ns/220ns Testbedingung 480V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket PLUS264™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A Leistung - max - Schaltenergie 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/144ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 376ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
