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GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Nur als Referenz

Teilenummer GPA042A100L-ND
PNEDA Teilenummer GPA042A100L-ND
Beschreibung IGBT 1000V 60A 463W TO264
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 7.812
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GPA042A100L-ND Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGPA042A100L-ND
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
GPA042A100L-ND, GPA042A100L-ND Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 410,67 KB)
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GPA042A100L-ND Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
IGBT-TypNPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 60A
Leistung - max463W
Schaltenergie13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge405nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.230ns/1480ns
Testbedingung600V, 60A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)465ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

180µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

263ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

310µJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/199ns

Testbedingung

600V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/110ns

Testbedingung

800V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IKP15N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

105W

Schaltenergie

120µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/160ns

Testbedingung

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Gate Charge

78nC

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Paket / Fall

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