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AOTF10B65M1

AOTF10B65M1

Nur als Referenz

Teilenummer AOTF10B65M1
PNEDA Teilenummer AOTF10B65M1
Beschreibung IGBT 650V 10A TO220
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 20.940
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOTF10B65M1 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOTF10B65M1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOTF10B65M1, AOTF10B65M1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 536,29 KB)
PDFAOTF10B65M1 Datenblatt Cover
AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 2 AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 3 AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 4 AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 5 AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 6 AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 7 AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 8 AOTF10B65M1 Datenblatt Seite 9

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AOTF10B65M1 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Leistung - max30W
Schaltenergie180µJ (on), 130µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/91ns
Testbedingung400V, 10A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)263ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 15A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

133nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/282ns

Testbedingung

600V, 15A, 14.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

210µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/192ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

144A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

320A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 80A

Leistung - max

404W

Schaltenergie

2.65mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

171nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/201ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1000A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

1000W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

585nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/250ns

Testbedingung

480V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

66ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Leistung - max

100W

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Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

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Reverse Recovery Time (trr)

42ns

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