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IRG7S313UTRLPBF

IRG7S313UTRLPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7S313UTRLPBF
PNEDA Teilenummer IRG7S313UTRLPBF
Beschreibung IGBT 330V 40A 78W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG7S313UTRLPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7S313UTRLPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG7S313UTRLPBF, IRG7S313UTRLPBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 244,51 KB)
PDFIRG7S313UTRLPBF Datenblatt Cover
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IRG7S313UTRLPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)330V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.14V @ 15V, 60A
Leistung - max78W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge33nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.1ns/65ns
Testbedingung196V, 12A, 10Ohm
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

168A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

900µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/100ns

Testbedingung

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IRGPS40B120UDP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

180ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

IRG6I330UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 28A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/120ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/350ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

AUIRGP4066D1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

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454W

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Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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240ns

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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