IRGPS40B120UDP
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| Teilenummer | IRGPS40B120UDP |
| PNEDA Teilenummer | IRGPS40B120UDP |
| Beschreibung | IGBT 1200V 80A 595W SUPER247 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.662 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGPS40B120UDP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGPS40B120UDP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGPS40B120UDP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 595W |
| Schaltenergie | 1.4mJ (on), 1.65mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 340nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 180ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-274AA |
| Lieferantengerätepaket | SUPER-247™ (TO-274AA) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 215W Schaltenergie 95µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/115ns Testbedingung 390V, 13A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 468W Schaltenergie 690µJ (on), 2.54mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/125ns Testbedingung 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 165ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max 62W Schaltenergie 31.8µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14.2ns/72ns Testbedingung 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A Leistung - max 600W Schaltenergie 1.26mJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 189nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/104ns Testbedingung 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 39ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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