IXXH50N60B3
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| Teilenummer | IXXH50N60B3 |
| PNEDA Teilenummer | IXXH50N60B3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 120A 600W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.704 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXXH50N60B3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXH50N60B3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXXH50N60B3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 36A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 670µJ (on), 740µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 70nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/100ns |
| Testbedingung | 360V, 36A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXXH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 498mJ (on), 363mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/142ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/104ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 89ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 40A Leistung - max 455W Schaltenergie 5.8mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 510nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/200ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 220ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
