HGT1S12N60A4DS

Nur als Referenz
Teilenummer | HGT1S12N60A4DS |
PNEDA Teilenummer | HGT1S12N60A4DS |
Beschreibung | IGBT 600V 54A 167W D2PAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.916 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Apr 16 - Apr 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
HGT1S12N60A4DS Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | HGT1S12N60A4DS |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- HGT1S12N60A4DS Datasheet
- where to find HGT1S12N60A4DS
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS
- HGT1S12N60A4DS PDF Datasheet
- HGT1S12N60A4DS Stock
- HGT1S12N60A4DS Pinout
- Datasheet HGT1S12N60A4DS
- HGT1S12N60A4DS Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- HGT1S12N60A4DS Price
- HGT1S12N60A4DS Distributor
HGT1S12N60A4DS Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Leistung - max | 167W |
Schaltenergie | 55µJ (on), 50µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 78nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/96ns |
Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 110W Schaltenergie 2.7mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/520ns Testbedingung 600V, 15A, 56Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 58W Schaltenergie 140µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/120ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 900µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/183ns Testbedingung 400V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 110ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket PG-TO251-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |