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Seite 2142/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SJ01640RA Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-A1	Auf Lager5.958
2SJ03640QL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager6.354
2SK01980RL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager5.193
2SK06620RL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager3.042
2SK06630RL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 30mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager8.226
2SK0663GRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 30mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager6.120
2SK1070PICTL-E Renesas Electronics America	Transistoren - JFETs JFET N-CH MPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 22V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-MPAK	Auf Lager2.033
2SK1070PIDTL-E Renesas Electronics America	Transistoren - JFETs JFET N-CH MPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 22V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-MPAK	Auf Lager8.622
2SK1070PIETL-E Renesas Electronics America	Transistoren - JFETs JFET N-CH MPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 22V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-MPAK	Auf Lager5.670
2SK1070PIETR-E Renesas Electronics America	Transistoren - JFETs JFET N-CH MPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 22V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-MPAK	Auf Lager8.676
2SK11030QL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager2.610
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V SC59 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager279.731
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V SC59 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager8.105
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager45.275
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager18.784
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager34
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager4.878
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager823
2SK23800QL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F2	Auf Lager7.812
2SK2394-6-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 200MW CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager4.160
2SK2394-7-FRD-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH SC-59-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.204
2SK2394-7-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 200MW CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager8.507
2SK2593GQL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 30mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3	Auf Lager7.614
2SK2593JQL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 30mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F1	Auf Lager4.572
2SK275100L Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.4µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager8.028
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET DUAL N-CH USV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: USV	Auf Lager7.326
2SK3320-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET DUAL N-CH USV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: USV	Auf Lager11.200
2SK33720RL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F1	Auf Lager7.560
2SK33720SL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F1	Auf Lager801.671
2SK33720TL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F1	Auf Lager106.814

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