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Seite 2144/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SK932-23-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 200MW CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager12.396
2SK932-24-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 200MW CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager14.155
5185_2N4391 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH JFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.470
5185-2N4392 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs BIPOLAR TRANSISTORS Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.768
5285-MMBFJ201 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.812
8885_2N5115 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.808
BF246A Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs SCR Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.730
BF246A ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager1.703
BF246A_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.668
BF246B Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs SCR Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.988
BF246B ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.866
BF246B_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.958
BF246C Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs SCR Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.040
BF247A ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.506
BF247A_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.862
BFR30,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager155
BFR30,235 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager4.410
BFR30LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 225MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.928
BFR30LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 225MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager6.300
BFR31,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager2
BFR31,235 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager5.220
BFR31LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 225MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager5.526
BFR31LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 225MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager3.888
BFT46,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager1
BSR56 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager19.535
BSR56,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager3.618
BSR57 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager29.393
BSR57,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager8.946
BSR58 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager28.727
BSR58,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager6.768

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