Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 2146/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
FJX597JBTF ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70 (SOT323)	Auf Lager83.298
FJX597JCTF ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70 (SOT323)	Auf Lager59.355
FJX597JHTF ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70 (SOT323)	Auf Lager69.018
FJZ594JBTF ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-623F Lieferantengerätepaket: SOT-623F	Auf Lager35.683
FJZ594JCTF ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-623F Lieferantengerätepaket: SOT-623F	Auf Lager34.934
FJZ594JTF ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-623F Lieferantengerätepaket: SOT-623F	Auf Lager6.480
IJW120R070T1FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - JFETs JFET N-CHAN 35A TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3.3µA @ 1200V Stromaufnahme (Id) - max: 35A Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 70 mOhms Leistung - max: 238W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager8.154
IJW120R100T1FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - JFETs JFET N-CHAN 26A TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5µA @ 1200V Stromaufnahme (Id) - max: 26A Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 100 mOhms Leistung - max: 190W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager4.950
J105 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 3 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.230
J105_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 3 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.706
J105_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 3 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.158
J106 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 6 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.889
J106_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 6 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.300
J107 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.644
J107_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.848
J108 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.070
J108,126 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.038
J108_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.362
J108_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.066
J108_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.988
J109 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager309.197
J109,126 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.550
J109-D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.718
J109_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.010
J109_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.454
J109_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.284
J110 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH TO-92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager2.736
J110 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.31W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.904
J110,126 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.070
J110_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.246

«
‹
1
...
2143
2144
2145
2146 (current)
2147
2148
2149
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message