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J109,126

J109,126

Nur als Referenz

Teilenummer J109,126
PNEDA Teilenummer J109-126
Beschreibung JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.550
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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J109 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJ109,126
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
J109, J109 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 34,31 KB)
PDFJ110 Datenblatt Cover
J110 Datenblatt Seite 2 J110 Datenblatt Seite 3 J110 Datenblatt Seite 4 J110 Datenblatt Seite 5 J110 Datenblatt Seite 6 J110 Datenblatt Seite 7

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J109 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)25V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)80mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id2V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)12 Ohms
Leistung - max400mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

60mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

6V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

MCH5908G-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10.5pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

5-MCPH

MMBFJ110

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

18 Ohms

Leistung - max

460mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SuperSOT-3

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