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FJZ594JBTF

FJZ594JBTF

Nur als Referenz

Teilenummer FJZ594JBTF
PNEDA Teilenummer FJZ594JBTF
Beschreibung JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $0,3574
500 ---------- $0,3406
1.000 ---------- $0,3239
2.500 ---------- $0,3071
5.000 ---------- $0,2932
10.000 ---------- $0,2792
Auf Lager 35.683
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FJZ594JBTF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJZ594JBTF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
FJZ594JBTF, FJZ594JBTF Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 65,36 KB)
PDFFJZ594JCTF Datenblatt Cover
FJZ594JCTF Datenblatt Seite 2 FJZ594JCTF Datenblatt Seite 3 FJZ594JCTF Datenblatt Seite 4 FJZ594JCTF Datenblatt Seite 5 FJZ594JCTF Datenblatt Seite 6

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FJZ594JBTF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)20V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)150µA @ 5V
Stromaufnahme (Id) - max1mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id600mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3.5pF @ 5V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max100mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-623F
LieferantengerätepaketSOT-623F

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

3.3µA @ 1200V

Stromaufnahme (Id) - max

35A

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 19.5V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

70 mOhms

Leistung - max

238W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

TIS75

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 4nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

SST5484-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

J112-D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SK01980RL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

100mV @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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