BFT46,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFT46,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BFT46-215 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BFT46 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFT46,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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BFT46 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 200µA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 10mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 1.2V @ 0.5nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 250mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 200mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket USV |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 100 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AF (TO-72) |
