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2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK208-O(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer 2SK208-O-TE85L-F
Beschreibung JFET N-CH 50V SC59
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis
1 ---------- $11,0043
100 ---------- $10,4885
250 ---------- $9,9726
500 ---------- $9,4568
750 ---------- $9,0270
1.000 ---------- $8,5971
Auf Lager 8.105
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Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SK208-O(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK208-O(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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2SK208-O(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)50V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)600µA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max6.5mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id400mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8.2pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max100mW
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSC-59

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SK208-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

6.5mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

400mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

2N5115

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

60mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

6V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18 (TO-206AA)

2N5433-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 0V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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