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Transistoren

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2N4861JAN02
2N4861JAN02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V TO-206

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager6.588
2N4861JTX02
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Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V TO-206

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
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2N4861JTXL02
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Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V TO-206

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
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2N4861JTXV02
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Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V TO-206

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager4.860
2N5114
2N5114

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
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2N5114
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Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)
Auf Lager48
2N5114-E3
2N5114-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager3.330
2N5114JAN02
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Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager7.506
2N5114JTVL02
2N5114JTVL02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager4.338
2N5114JTX02
2N5114JTX02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager6.876
2N5114JTXL02
2N5114JTXL02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager6.948
2N5114JTXV02
2N5114JTXV02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager3.348
2N5114UB
2N5114UB

Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: UB
Auf Lager5.292
2N5115
2N5115

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

IC JUNCTION FET P-CH TO-18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager9.603
2N5115
2N5115

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager8.882
2N5115
2N5115

Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)
Auf Lager987
2N5115-E3
2N5115-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager6.300
2N5115JAN02
2N5115JAN02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager8.946
2N5115JTVL02
2N5115JTVL02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager6.588
2N5115JTX02
2N5115JTX02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager3.672
2N5115JTXL02
2N5115JTXL02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager4.986
2N5115JTXV02
2N5115JTXV02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager8.334
2N5115UB
2N5115UB

Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: UB
Auf Lager3.348
2N5116
2N5116

Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 175 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager881
2N5116
2N5116

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager2.236
2N5116
2N5116

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 150 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager1.336
2N5116-E3
2N5116-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager3.816
2N5116JAN02
2N5116JAN02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager8.694
2N5116JTVL02
2N5116JTVL02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager6.012
2N5116JTX02
2N5116JTX02

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager4.050