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2N5114

2N5114

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5114
PNEDA Teilenummer 2N5114
Beschreibung P CHANNEL JFET
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $31,6366
100 ---------- $30,1536
250 ---------- $28,6707
500 ---------- $27,1877
750 ---------- $25,9519
1.000 ---------- $24,7161
Auf Lager 48
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N5114 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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2N5114 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)90mA @ 18V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id10V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)75 Ohms
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-18 (TO-206AA)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

30mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3-B

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

750mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

310mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Hersteller

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FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

8V @ 500pA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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