Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 2136/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TIG111BF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 2W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Leistung - max: 2W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 43ns/175ns Testbedingung: 300V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS)	Auf Lager7.830
2N2608 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs IC JUNCTION FET P-CH TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager4.896
2N2609 Microsemi	Transistoren - JFETs JFETS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1A Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager6.048
2N3820 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager7.510
2N3820 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 20V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.231
2N3820_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 20V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.460
2N3821 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/375 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager7.848
2N3822 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/375 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager195
2N3823 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/375 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 8V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager288
2N4091 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.736
2N4091UB Microsemi	Transistoren - JFETs JFET N-CHAN 40V 3SMD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-UB (3.09x2.45)	Auf Lager6.156
2N4092 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager190
2N4092UB Microsemi	Transistoren - JFETs JFET N-CHAN 40V 3SMD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-UB (3.09x2.45)	Auf Lager6.318
2N4093 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 80 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager61
2N4093UB Microsemi	Transistoren - JFETs JFET N-CHAN 40V 3SMD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 80 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-UB (3.09x2.45)	Auf Lager8.532
2N4117A Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager8.198
2N4117A MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - JFETs DIE MOSFET N-CH 40V Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager14.799
2N4117A-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager3.798
2N4117A-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager8.658
2N4118A Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager19.584
2N4118A-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager2.646
2N4118A-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager7.902
2N4119A Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager2.377
2N4119A-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager4.032
2N4119A-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager4.320
2N4338 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager1.825
2N4338-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.400
2N4338-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.294
2N4339 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager284
2N4339-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager8.604

«
‹
1
...
2133
2134
2135
2136 (current)
2137
2138
2139
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message