TIG111BF
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| Teilenummer | TIG111BF |
| PNEDA Teilenummer | TIG111BF |
| Beschreibung | IGBT 600V 23A 2W TO220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.830 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TIG111BF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TIG111BF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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TIG111BF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 92A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 2W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 63nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 43ns/175ns |
| Testbedingung | 300V, 10A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FI(LS) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max 139W Schaltenergie 570µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/234ns Testbedingung 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 279ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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