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2N4117A

2N4117A

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4117A
PNEDA Teilenummer 2N4117A_243
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis
1 ---------- $4,3176
250 ---------- $4,1152
500 ---------- $3,9128
1.000 ---------- $3,7104
2.500 ---------- $3,5418
5.000 ---------- $3,3731
Auf Lager 8.198
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2N4117A Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4117A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2N4117A, 2N4117A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 68,78 KB)
PDFSST4119-T1-E3 Datenblatt Cover
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2N4117A Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)30µA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id600mV @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-206AF (TO-72)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

10V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

75 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

U290

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 0V

Widerstand - RDS (Ein)

3 Ohms

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AC (TO-52)

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

100mV @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 4nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

40 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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