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2N4856JTXV02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager8.172
2N4856UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.166
2N4857 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.348
2N4857JAN02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.472
2N4857JTX02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager6.372
2N4857JTXL02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.672
2N4857JTXV02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.598
2N4857UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.122
2N4858 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager1.031
2N4858A Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager505
2N4858JAN02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager7.524
2N4858JTVP02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET JFET P-CH Hersteller: Vishay Siliconix Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.150
2N4858JTX02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager8.334
2N4858JTXL02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.906
2N4858JTXV02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager6.912
2N4858JVP02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET JFET P-CH Hersteller: Vishay Siliconix Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.058
2N4858UB Microsemi	Transistoren - JFETs JFET N-CHAN 40V 3SMD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-UB (3.09x2.45)	Auf Lager3.078
2N4859 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager6.030
2N4859A Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: 250pA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.988
2N4859JAN02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager2.736
2N4859JTX02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager5.022
2N4859JTXL02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager2.538
2N4859JTXV02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager4.374
2N4859UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.686
2N4860 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager8.352
2N4860JAN02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V TO-206 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager8.478
2N4860JTX02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V TO-206 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager6.786
2N4860JTXL02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V TO-206 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager2.088
2N4860JTXV02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V TO-206 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager6.120
2N4860UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.322

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