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2N4858A

2N4858A

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4858A
PNEDA Teilenummer 2N4858A
Beschreibung JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
Hersteller Central Semiconductor Corp
Stückpreis
1 ---------- $10,6152
100 ---------- $10,1176
250 ---------- $9,6200
500 ---------- $9,1224
750 ---------- $8,7078
1.000 ---------- $8,2931
Auf Lager 505
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N4858A Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4858A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2N4858A, 2N4858A Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 591,1 KB)
PDF2N4858A Datenblatt Cover
2N4858A Datenblatt Seite 2 2N4858A Datenblatt Seite 3

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2N4858A Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id800mV @ 0.5nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)60 Ohms
Leistung - max360mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-18

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ON Semiconductor

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-

FET-Typ

N-Channel

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

400mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 0V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-92-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

60µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.5V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.7pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

-

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Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

175 Ohms

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

MX2N4391

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FJZ594JTF

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

20V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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