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2N4857JAN02

2N4857JAN02

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4857JAN02
PNEDA Teilenummer 2N4857JAN02
Beschreibung JFET N-CH 40V 360MA TO-18
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N4857JAN02 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4857JAN02
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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2N4857JAN02 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-Typ-
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-206AA (TO-18)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SK3372GTL

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

2mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

-20°C ~ 80°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F2

NSVJ3557SA3T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

15V

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59-3/CP3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

-

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-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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