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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N5116JTXL02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager4.932
2N5116JTXV02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.906
2N5116UB Microsemi	Transistoren - JFETs P CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500 FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 175 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager7.344
2N5432-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager6.534
2N5433 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager3.150
2N5433-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager8.604
2N5433-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager3.942
2N5457 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Angebot anfordern
2N5457_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.796
2N5457_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.642
2N5457_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.736
2N5457_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.560
2N5457G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.31W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager13
2N5457_L99Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226)	Auf Lager8.532
2N5458 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.31W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.745
2N5458_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.510
2N5458_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.358
2N5458G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.31W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.726
2N5459 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager1.659
2N5459_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.502
2N5459_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.246
2N5459_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.526
2N5460 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.31W TO-92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager11.344
2N5460 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.960
2N5460_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.004
2N5460_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.978
2N5460_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.694
2N5460G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.930
2N5460_L99Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226)	Auf Lager3.006
2N5461 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.332

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