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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N4339-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager5.814
2N4341 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs IC JUNCTION FET N-CH TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 325mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager205
2N4391 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: 100pA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager105
2N4391 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager99
2N4391 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager157
2N4391-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.400
2N4391-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager7.002
2N4391UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.820
2N4392 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager12.940
2N4392 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager18.915
2N4392 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager7.764
2N4392-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager3.384
2N4392-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager4.032
2N4392UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.230
2N4393 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager14.098
2N4393 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager11.723
2N4393 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.070
2N4393-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager4.806
2N4393-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager2.994
2N4393UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.976
2N4416 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager4.994
2N4416A Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager1.818
2N4416A Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager2.060
2N4416A-2 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager8.136
2N4416A-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager2.736
2N4416-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)	Auf Lager2.880
2N4856 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager1.073
2N4856JAN02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager4.896
2N4856JTX02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager7.380
2N4856JTXL02 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager8.892

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