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2N4856JTX02

2N4856JTX02

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4856JTX02
PNEDA Teilenummer 2N4856JTX02
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 7.380
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N4856JTX02 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4856JTX02
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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2N4856JTX02 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-Typ-
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-206AA (TO-18)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23 (TO-236AB)

2N5461RLRAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N5433

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 0V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AC (TO-52)

TF256-5-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

240µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

100mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

30mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1123

Lieferantengerätepaket

3-USFP

MV2N4859

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/385

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

10V @ 500pA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

25 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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