2N4341
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2N4341 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2N4341 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC JUNCTION FET N-CH TO-18 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Central Semiconductor Corp | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 205 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2N4341 Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N4341 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2N4341 Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 50V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 3mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 2V @ 100nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 325mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 200mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-CP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 100 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 60 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
