Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 2135/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
STGWT40H65DFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 498µJ (on), 363µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/142ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 62ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager3.024
STGWT40H65FB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 498mJ (on), 363mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/142ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager11.184
STGWT40HP65FB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB Hersteller: STMicroelectronics Serie: HB IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 363µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/142ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 140ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager8.220
STGWT40V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 52ns/208ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 41ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager6.552
STGWT40V60DLF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 411µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/208ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager6.228
STGWT60H60DLFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 626µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/160ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager4.458
STGWT60H65DFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 1.09mJ (on), 626µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 51ns/160ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager6.252
STGWT60H65FB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 1.09mJ (on), 626µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 51ns/160ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager15.936
STGWT60V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 375W TO3P Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 750µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 334nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 60ns/208ns Testbedingung: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 74ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.334
STGWT60V60DLF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT BIPO 600V 60A TO3P Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: - Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.568
STGWT80H65DFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Leistung - max: 469W Schaltenergie: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 414nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 84ns/280ns Testbedingung: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 85ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager4.878
STGWT80H65FB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Leistung - max: 469W Schaltenergie: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 414nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 84ns/280ns Testbedingung: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager8.784
STGWT80V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 469W TO-3P Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A Leistung - max: 469W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 448nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 60ns/220ns Testbedingung: 400V, 80A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager6.876
STGWT80V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 469W TO-3P Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A Leistung - max: 469W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 448nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 60ns/220ns Testbedingung: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager6.696
STGY40NC60VD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 260W MAX247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 330µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 214nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 43ns/140ns Testbedingung: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 44ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: MAX247™	Auf Lager8.328
STGY50NC60WD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 110A 278W MAX247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max: 278W Schaltenergie: 365µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 195nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 52ns/240ns Testbedingung: 390V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: MAX247™	Auf Lager3.780
STGY80H65DFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 120A 469W MAX247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Leistung - max: 469W Schaltenergie: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 414nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 84ns/280ns Testbedingung: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 85ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: MAX247™	Auf Lager7.044
STGYA120M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Hersteller: STMicroelectronics Serie: * IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A Leistung - max: 625W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 66ns/185ns Testbedingung: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 202ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Exposed Pad Lieferantengerätepaket: MAX247™	Auf Lager11.172
STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: STMicroelectronics Serie: M IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A Leistung - max: 625W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 66ns/185ns Testbedingung: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 202ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: MAX247™	Auf Lager5.760
TIG052TS-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 8TSSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 2.5V, 150A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager2.628
TIG056BF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 30W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A Leistung - max: 30W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/140ns Testbedingung: 320V, 240A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS)	Auf Lager6.390
TIG056BF-1E ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 430V 240A 30W TO-220F-3FS Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A Leistung - max: 30W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/140ns Testbedingung: 320V, 240A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F-3FS	Auf Lager7.866
TIG058E8-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5.6V @ 4V, 100A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-ECH	Auf Lager6.426
TIG062E8-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 3V, 100A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-ECH	Auf Lager4.536
TIG064E8-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 2.5V, 100A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-ECH	Auf Lager7.308
TIG065E8-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 150A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 2.5V, 100A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-ECH	Auf Lager24.552
TIG066SS-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 4V, 150A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.268
TIG067SS-TL-2W ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 150A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 4V, 150A Leistung - max: 1.2W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.564
TIG074E8-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 150A 8ECH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: SOT-28FL/ECH8	Auf Lager5.094
TIG110BF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 27A 2W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Leistung - max: 2W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 65ns/250ns Testbedingung: 300V, 15A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS)	Auf Lager2.070

«
‹
1
...
2132
2133
2134
2135 (current)
2136
2137
2138
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message