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2N4391-E3

2N4391-E3

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4391-E3
PNEDA Teilenummer 2N4391-E3
Beschreibung MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 7.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N4391-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4391-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2N4391-E3, 2N4391-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 59,98 KB)
PDF2N4393-E3 Datenblatt Cover
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2N4391-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)50mA @ 20V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id4V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 20V
Widerstand - RDS (Ein)30 Ohms
Leistung - max1.8W
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-206AA (TO-18)

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

240µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

100mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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-

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

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350mW

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

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